在对pnp三极管放大作用原理的理解上，一定要记住，能量是不会无缘无故产生的，所以pnp三极管一定不会产生能量， 但pnp三极管厉害之处在于，它可以通过小电流从而控制大电流。pnp三极管放大原理是：当pnp三极管的VC
pnp三极管-开关作用原理
当pnp三极管管子内的VC>VB，且VE>VB时，集电结和发射结同时正偏，管子工作处于饱和状态，此时管子的压力降约为0.1-0.3V(IC=VCC/RC)，就是集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻，这时与IB无关，pnp三极管相当于一个闭合开关。pnp三极管管子内的VC
pnp三极管-理论原理
晶体三极管按材料不同可以分有两种：锗管和硅管。而每一种又被分为NPN和PNP两种结构形式，在日常生活中使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，两者除了电源极性不同之外，其余工作原理都是相同的，对于pnp三极管而言，它是由2块N型半导体、1块P型半导体所组合而成，在发射区与基区之间形成的PN结被称为发射结，而集电区与基区形成的PN结被称为集电结，三条引线分别称为发射极e 、基极b、集电极c。
pnp三极管-概念
pnp三极管在使用中发射极电位最高，集电极电位最低时为UBE<0，三极管按结构可以分为，NPN型三极管和PNP型三极管。pnp三极管管道通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有任何关系，ICB=0 ICB>0时，可能就与pnp三极管就有所关系，三极管在正常工作时，不管是在工作放大区还是饱和区ICB=0，当UEB>0.7V(硅)，RC/RB<放大倍数时，pnp三极管工作在饱和区，反之就工作在放大区。
pnp三极管-制作
在pnp三极管制作时也有所相关的规定，在制造时会有意识地将发射区多数载流子浓度大于基区，同时在基区制作上也做得很薄，在制作时要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后才能正常使用，发射区多数载流子极基区的多数载流子很容易地越过发射区，向结互相向对方扩散，由于pnp三极管的基区很薄，加上集电结反偏，注入基区的电子大部分会越过集电结进入集电区从而形成集电集电流Ic。
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